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| EPSON 无源晶体晶振 | |||
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| FA-128 2016 4P | |||
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| TSX-3225 3225 4P | |||
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标称频率：晶体技术条件中规定的频率，通常标识在产品外壳上。
工作频率：晶体与工作电路共同产生的频率。
调整频差：在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。
温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25±2℃）时工作频率的允许偏差。
老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。
静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。
动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻。用R1表示。
负载谐振电阻（ESR）：在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用Re表示。 Re＝R1*（1+C0/CL）^2
激励功率：晶体工作时所消耗功率的表征值。激励电平可选值有：2mW、1mW、0.5mW
、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
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